ZAZPE, Raul, Jaroslav CHARVOT, Richard KRUMPOLEC, Ludek HROMADKO, David PAVLIŇÁK, Filip DVORAK, Petr KNOTEK, Jan MICHALICKA, Jan PRIKRYL, Siowwoon NG, Veronika JELÍNKOVÁ, Filip BUREŠ a Jan M. MACAK. Atomic Layer Deposition of MoSe2 Using New Selenium Precursors. FlatChem. Elsevier B.V., roč. 21, Květen, s. 1-24. ISSN 2452-2627. doi:10.1016/j.flatc.2020.100166. 2020.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Atomic Layer Deposition of MoSe2 Using New Selenium Precursors
Název česky Depozice atomové vrstvy MoSe2 pomocí nových prekurzorů selenu
Autoři ZAZPE, Raul (203 Česká republika, garant), Jaroslav CHARVOT (203 Česká republika), Richard KRUMPOLEC (203 Česká republika), Ludek HROMADKO (203 Česká republika), David PAVLIŇÁK (203 Česká republika), Filip DVORAK (203 Česká republika), Petr KNOTEK (203 Česká republika), Jan MICHALICKA (203 Česká republika), Jan PRIKRYL (203 Česká republika), Siowwoon NG (203 Česká republika), Veronika JELÍNKOVÁ (203 Česká republika, domácí), Filip BUREŠ (203 Česká republika) a Jan M. MACAK (203 Česká republika).
Vydání FlatChem, Elsevier B.V. 2020, 2452-2627.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10401 Organic chemistry
Stát vydavatele Nizozemské království
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
WWW URL
Kód RIV RIV/75081431:_____/20:00001777
Organizační jednotka Vysoká škola technická a ekonomická v Českých Budějovicích
Doi http://dx.doi.org/10.1016/j.flatc.2020.100166
UT WoS 000540780300005
Klíčová slova česky 2D materiály; depozice atomové vrstvy; Chalcogeny; vrstvené sloučeniny; návrh syntézy
Klíčová slova anglicky 2D materials; Atomic layer deposition; Chalcogens; Layered compounds; Synthesis design
Štítky CHS, RIV20, SCOPUS, WOS
Návaznosti GA18-03881S, projekt VaV.
Změnil Změnila: Kateřina Nygrýnová, učo 23736. Změněno: 3. 7. 2020 08:12.
Anotace
Among the emerging 2D materials, transition metal chalcogenides are particularly encouraging as alternative semiconducting graphene-like nanomaterial. Recently, 2D MoSe2 has been gaining interest due to its intriguing properties, in many ways exceeding those of the extensively studied MoS2. The deposition of 2D nanomaterials in a conformal and uniform fashion on complex-shaped nanostructures is highly appealing but only achievable by atomic layer deposition (ALD). Unfortunately, the synthesis of MoSe2 by ALD is hindered by a current substantial lack of feasible Se precursors. In this work, we synthesized a set of alkysilyl (R3Si)2Se and alkylstannyl (R3Sn)2Se compounds and studied their suitability as Se ALD precursors. Thus, ALD processes carried out using MoCl5 as Mo precursor counterpart were followed by an extensive characterization of the as deposited material. The corresponding results revealed successful deposition of MoSe2 nanostructures on substrates of different nature with dominant out-of-plane orientation. Eventually, the growth evolution of the MoSe2 during the very early ALD stage was studied and described, displaying concomitant in-plane and out-of-plane MoSe2 growth. All in all, a set of suitable Se precursors presented herein paves the way for the deposition of 2D MoSe2 with all the own ALD benefits and allow the further study of its promising properties in a wide number of applications
Anotace česky
Mezi nově vznikajícími 2D materiály jsou chalkogenidy přechodných kovů obzvláště povzbudivé jako alternativní polovodivé nanomateriály podobné grafenu. V poslední době získává 2D MoSe2 zájem díky svým zajímavým vlastnostem, v mnoha ohledech přesahující vlastnosti extenzivně studovaného MoS2. Ukládání 2D nanomateriálů konformním a jednotným způsobem na komplexně tvarovaných nanostrukturách je velmi přitažlivé, ale lze jej dosáhnout pouze ukládáním atomové vrstvy (ALD). Syntéze MoSe2 pomocí ALD bohužel brání současný podstatný nedostatek proveditelných prekurzorů Se. V této práci jsme syntetizovali skupinu alkysilylových (R3Si) 2Se a alkylstannylových (R3Sn) 2Se sloučenin a studovali jsme jejich vhodnost jako Se ALD prekurzory. Procesy ALD prováděné s použitím MoCl5 jako protějšku Mo prekurzoru byly následovány rozsáhlou charakterizací uloženého materiálu. Odpovídající výsledky odhalily úspěšnou depozici nanostruktur MoSe2 na substrátech různé povahy s dominantní orientací mimo rovinu. Nakonec byl studován a popsán vývoj růstu MoSe2 během velmi raného ALD stádia, zobrazující doprovodný růst MoSe2 v rovině a mimo rovinu. Celkově lze říci, že zde uvedená sada vhodných prekurzorů Se připravuje cestu pro depozici 2D MoSe2 se všemi vlastními výhodami ALD a umožňuje další studium jejích slibných vlastností v celé řadě aplikací.
VytisknoutZobrazeno: 29. 3. 2024 12:35