Es gibt zwei wichtige Gruppen von Transistoren, nämlich Bipolartransistoren und Feldeffekttransistoren (FET), die sich durch die Art der Ansteuerung voneinander unterscheiden.

Der Bipolartransistor wird durch einen elektrischen Strom angesteuert. Die Anschlüsse werden mit Basis, Emitter, Kollektor bezeichnet. Ein kleiner Steuerstrom auf der Basis-Emitter-Strecke führt zu Veränderungen der Raumladungszonen im Inneren des Bipolartransistors und kann dadurch einen großen Strom auf der Kollektor-Emitter-Strecke steuern. Je nach Dotierungsfolge im Aufbau unterscheidet man zwischen npn- (negativ-positiv-negativ) und pnp-Transistoren (positiv-negativ-positiv). Bipolartransistoren sind grundsätzlich immer selbstsperrend: Ohne Ansteuerung mittels eines kleinen Stromes durch die Basis-Emitter-Strecke sperrt der Transistor auf der Kollektor-Emitter-Strecke.

Im Schaltsymbol ist der Anschluss Emitter (E) in beiden Fällen mit einem kleinen Pfeil versehen: Bei einem npn-Transistor zeigt dieser vom Bauelement weg, beim pnp-Transistor weist er zu dem Bauelement hin.Der Pfeil beschreibt die elektrische Stromrichtung am Emitter.

Feldeffekttransistoren, abgekürzt FET, oder auch als unipolare Transistoren bezeichnet, werden durch eine Spannung gesteuert. Besonders für FETs ist ein sehr hoher Eingangswiderstand im statischen Betrieb und die daher fast leistungslose Ansteuerung typisch.

Die Anschlüsse werden als Gate (dt. Tor, Gatter), das der Steueranschluss ist, Drain (dt. Abfluss) und Source (dt. Quelle) bezeichnet. Bei MOSFETs (Metalloxidschicht) kommt noch ein weiterer Anschluss, das sogenannte Bulk oder Body (dt. Substrat) hinzu, das meist mit dem Source-Anschluss verbunden wird. Der Widerstand und somit der Strom der Drain-Source-Strecke wird durch die Spannung zwischen Gate und Source und das dadurch entstehende elektrische Feld gesteuert. Die Steuerung ist im statischen Fall fast stromlos. Der gesteuerte Strom im Drain-Source-Kanal kann, im Gegensatz von Bipolartransistoren, in beiden Richtungen fließen.

Bei den Unipolartransistoren ist immer nur eine Ladungsträgerart, negativ geladene Elektronen oder positiv geladene Defektelektronen, am Ladungsträgertransport durch den Transistor beteiligt.

Der Zürcher Maschinenbauingenieur Illias Hischier hat einen Sonnenstrahlempfänger entwickelt, der die aufgenommenen Energie über eine Gasturbine für die hocheffiziente Stromerzeugung nutzt. Die Kombination von Sonnenenergie mit fossilen Brennstoffen ermöglicht eine konstante Stromproduktion und verringert die Kosten.

Mit Sonnenenergie betriebene Gasturbinen könnten diesbezüglich künftig eine Lösung sein. Notwendig dafür ist ein leistungsfähiger Empfänger für die Sonnenenergie, ein sogenannter Solar-Receiver. Er heizt verdichtete Luft mittels konzentrierter Sonnenstrahlung auf. Die heisse Luft wird anschliessend einer Gasturbine zugeführt, die schliesslich den Strom produziert.

Der Receiver erhitzt die Luft auf Temperaturen bis zu 1300° C. Hischier verwendet einen porösen Keramikschaum, der die Wärme optimal an die Luft überträgt.

Der Forscher testete den Receiver bereits erfolgreich in Israel. In der Praxis könnte die Erfindung in einem 50-Megawatt-Solarturmkraftwerk zum Einsatz kommen. Ein derartiger Turm ist mit 500 Receivern bestückt, die wie die Facetten eines Insektenauges angeordnet sind. Sie nehmen die Strahlung von Spiegeln auf, sogenannten Heliostaten, die im Umkreis von 500 m stehen und sich automatisch an der Sonne ausrichten.

Transistor-white[online].Wikimedia.[vid. 4.1.2013]

Die experimentell bestätigten Resultate mit dem neu entwickelten Receiver lassen hoffen, dass solare Gasturbinenkraftwerke künftig in sonnenreichen Gebieten einen wichtigen Beitrag für eine sichere Stromversorgung leisten können. Die Verbindung der Technologien drosselt den Verbrauch von endlichen Ressourcen, verringert die CO2-Emissionen und leistet einen Beitrag zur stärkeren Nutzung der erneuerbaren Energien.

N-Kanal-Mofset[online].Wikimedia.[vid.3.2.2013].